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  • PECVD设备系列
    PF-300T是国家十一五重大专项所支持,由我公司自主研发的12英寸PECVD设备,拥有100%知识产权。其用于40-28纳米集成电路的生产,具有14-10纳米技术的延伸性。设备成本(CoO)及性能指标达到世界领先水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及先进封装生产线(TSV)实施量产,累积超过160万片。充分展现国产半导体设备的实力与成果。
  • ALD设备系列
    FT-300T系列是我公司自主研发的原子层沉积(Atomic Layer Deposition)设备,反应腔搭载在已通过生产验证的高产能PECVD平台上,充分实现ALD设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路,OLED及先进封装(TSV)领域。ALD技术一次沉积一层原子层薄膜,并针对14nm以下FEOL前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的SiO2,SiN,Al2O3薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。
  • 3D-NAND设备系列
    NF-300T设备由拓荆科技自主研发、承担了国家十三五重大专项,是国产首台应用于新一代闪存芯片生产线上的薄膜沉积设备,拥有100%自主知识产权。应用于30-20纳米集成电路的生产,可扩展到20nm以下制程。目前可实现SiO2,SiN(ONON)多层薄膜堆叠结构,在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破,设备性能指标达到同类产品国际先进水平,具备产业化能力及市场竞争力。
  • 技术服务及零部件