Ooops!好像您正在使用古老的浏览器
为了得到我们网站最好的体验效果,我们建议您升级到最新版本的Internet Explorer,或选择其它推荐浏览器
打造世界一流半导体薄膜设备产业化基地

  沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月,是由海外半导体专家团队和中科院所属企业共同发起成立的高新技术企业,致力于研究和生产世界领先的半导体薄膜设备,是国内唯一能够生产用于大规模集成电路生产线的12英寸PECVD设备的企业。公司现已形成12英寸PECVD(等离子体增强的化学气相沉积设备)、ALD(原子层薄膜沉积设备)、3D NAND、PECVD(三维结构闪存专用PECVD设备)三个完整系列产品,广泛应用于集成电路、3D-TSV、光波导、LED、3D NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。

  拓荆公司一直致力于集成电路高端装备创新,两次承担国家科技部极大规模集成电路制造装备及成套工艺科技重大专项。“十一五”重大专项项目产品——12英寸PECVD设备不但各项工艺指标达到国际一流水平,打破了国际垄断,产品已经实现产业化。 “十三五”重大专项项目重点研发应用于新一代闪存领域3D NAND PECVD工艺技术及设备,为国家大存储器项目提供专业配套,并实现产业化,使中国的薄膜设备研发和制造达到国际前沿水平。公司开展研发的12英寸ALD设备薄膜厚度可达原子级,是目前国际最高端薄膜技术,在半导体、医疗器材、新能源、军工等领域拥有广泛的应用前景。

  公司拥有国际一流的专家团队,现有常驻外专十余人(其中国家“千人计划”专家3人)。公司的技术和管理都由国际半导体技术专家带队,直接注入了与国际接轨的高科技企业管理模式。公司已申请专利300余项,其中发明专利200余项, 填补了多项国内空白,拓荆公司已成为国家集成电路产业战略布局中的一个关键技术企业,为“中国半导体设备五强企业”。吸引了国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)领投的两轮战略投资总额达8.1亿元。

  在国家科技部02重大专项、国家大基金、省市区各级领导的大力支持下,拓荆公司取得了长足的发展。为了满足产业化需求,拓荆公司建立了半导体薄膜设备产业化基地,总建筑面积40000平方米,目前已经整体入驻,一期可实现年产100台套生产能力,全部投产将达到年产350台套设备的生产能力,可支撑年产值50亿元。未来拓荆公司将致力于建设世界领先的薄膜设备公司,成为辽沈大地经济发展的创新典范。

  拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。